大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gō往事不堪回首月明中什么意思解释，往事不堪回首月明中下一句是什么ng)司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D 往事不堪回首月明中什么意思解释，往事不堪回首月明中下一句是什么NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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