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韩红个人简历和职位 韩红是什么军衔 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

  美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查(chá)

  据网信(xìn)办消息,日前(qián),网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

  审(shěn)查发(fā)现,美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn),对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险,影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此,网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规,我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

  此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全(quán)审查,目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全,是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求,欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链安全,防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风(fēng)险,维护国家(jiā)安全,依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》,网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

  半导体突发!中国(guó)出手:停(tíng)止采购!

  美光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头,也是全球存储芯(xīn)片巨头之一,2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司(sī)中(zhōng),江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

  美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng),至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31韩红个人简历和职位 韩红是什么军衔亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì),江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约,确保存储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公(gōng)司在下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优势(shì),公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的(de)合(hé)作。

  有券商此前就分(fēn)析,如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制,或将导致下(xià)游客(kè)户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士,国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积韩红个人简历和职位 韩红是什么军衔工艺步骤,同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽,催生更多设备需求。据东京电子披露(lù),薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75%。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单(dān),设备国产(chǎn)化(huà)进程加速,看好拓荆科技(薄(báo)膜沉积)等(děng)相关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng),以及(jí)存储业(yè)务(wù)占比较高的(de)华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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