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感受到体内那根东西变大很胀,你的东西还留在我体内

感受到体内那根东西变大很胀,你的东西还留在我体内 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

  美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审感受到体内那根东西变大很胀,你的东西还留在我体内

  据(jù)感受到体内那根东西变大很胀,你的东西还留在我体内网(wǎng)信办消(xiāo)息,日(rì)前(qián),网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

  审(shěn)查发现,美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患,对我国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn),影响我国国家安全(quán)。为此,网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规,我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查,目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全(quán),是维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放,只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú),欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称,为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全,防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头,也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降,至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场的(de)供应优势,公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

  有券商此前就分析,如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制,或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士,国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài),2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽,催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露,薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制(zhì)名(míng)单,设备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速(sù),看(kàn)好拓荆科技(薄膜(mó)沉积(jī))等相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng),以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上(shàng)海(清(qīng)洗)等收入(rù)增长。

 

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