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诞辰是指活人还是死人,诞辰和生日的区别

诞辰是指活人还是死人,诞辰和生日的区别 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好(hǎo),来看一则突(tū)发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消(xiāo)息(xī),日前(qián),网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

  审查发现(xiàn),美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn),对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn),影响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为此,网(wǎng)络安全审查诞辰是指活人还是死人,诞辰和生日的区别办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规,我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

  此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查,目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施安全,是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放,只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

  半(bàn)导体突发!中国(guó)出手:停止采购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文称,为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全,防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险,维护国家安全,依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安诞辰是指活人还是死人,诞辰和生日的区别全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止(zhǐ)采购!

  美(měi)光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年(nián)收(shōu)入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,诞辰是指活人还是死人,诞辰和生日的区别三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上(shàng)市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

  美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约,确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性,巩固公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应优(yōu)势(shì),公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制,或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露,薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合(hé)计(jì)为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单,设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等(děng)相关公司(sī)份额(é)提(tí)升(shēng),以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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