大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安全问蟑螂爬过的地方有细菌吗 蟑螂可以彻底消灭吗题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国蟑螂爬过的地方有细菌吗 蟑螂可以彻底消灭吗市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购金额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)蟑螂爬过的地方有细菌吗 蟑螂可以彻底消灭吗5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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