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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应迪奥丝绒和哑光有什么区别，迪奥丝绒和哑光哪种好看链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供迪奥丝绒和哑光有什么区别，迪奥丝绒和哑光哪种好看应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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