大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查不朽的意思

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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