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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基刘备文学是什么意思，刘备文学啥意思础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过(guò)美(měi)光(guāng)等国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长刘备文学是什么意思，刘备文学啥意思江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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