大(dà)家好，来看一(yī)则突发消息。

　　三大球和三大球和三小球分别是什么 三大球的起源三小球分别是什么 三大球的起源美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升(sh三大球和三小球分别是什么 三大球的起源ēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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