大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害(hài)国(guó)家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn究极绿宝石满级了还能刷努力值吗 究极绿宝石5.4努力值怎么刷)比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合究极绿宝石满级了还能刷努力值吗 究极绿宝石5.4努力值怎么刷约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　究极绿宝石满级了还能刷努力值吗 究极绿宝石5.4努力值怎么刷分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额(é)提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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