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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ā2004年后勤工程学院有专科吗 后勤工程学院可以当兵吗n)全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至2004年后勤工程学院有专科吗 后勤工程学院可以当兵吗少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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