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韩红个人简历和职位 韩红是什么军衔

韩红个人简历和职位 韩红是什么军衔 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

  美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查(chá)

  据网信办消息,日前(qián),网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

  审查发(fā)现,美(měi)光公司产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患(huàn),对我国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险,影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此,网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查韩红个人简历和职位 韩红是什么军衔的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施(shī)的(de)运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

  此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查,目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全,是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要(yào)遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月(yuè)31日,中国(guó)网信网发文称,为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全,防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险,维(wéi)护国家安全,依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》,网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》,对美(měi)光公(gōng)司(Micron)在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头,也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之(zhī)一,2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

  美(měi)光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降,至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

  公(gōng)告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储(c韩红个人简历和职位 韩红是什么军衔hǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性(xìng),巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势,公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分析(xī),如果美光在中国区销售受到限制,或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì),国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分(fēn)析称(chēng),长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60:1的(de)深孔,未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽,催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露,薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制名单,设(shè)备(bèi)国产化进程(chéng)加速,看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(薄膜沉积(jī))等(děng)相关公(gōng)司份额提升,以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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