大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规(已婚女性英文称呼，女性英文称呼guī)，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美已婚女性英文称呼，女性英文称呼光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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