大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法作意映卿卿如晤什么意思，意映卿卿如晤读音出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐ意映卿卿如晤什么意思，意映卿卿如晤读音n)患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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