大家好，来看一(yī)则突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存(cún)在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国(guó)区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺文言文许行原文及翻译注释，文言文许行原文及翻译及注释。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhà文言文许行原文及翻译注释，文言文许行原文及翻译及注释f0000; line-height: 24px;'>文言文许行原文及翻译注释，文言文许行原文及翻译及注释n)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 文言文许行原文及翻译注释，文言文许行原文及翻译及注释