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　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品(p三角形中线长公式是什么，中线长公式是什么原因ǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日三角形中线长公式是什么，中线长公式是什么原因，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约三角形中线长公式是什么，中线长公式是什么原因为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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