大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设(shè)施的(de)运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)央音展演比赛金奖比例 央音展演总展演是国家级的吗产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安全的(de)必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎ央音展演比赛金奖比例 央音展演总展演是国家级的吗o)持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(ji央音展演比赛金奖比例 央音展演总展演是国家级的吗àn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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