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　　美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jì怎么测信息素，免费测abo性别和信息素气味n)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ怎么测信息素，免费测abo性别和信息素气味)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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