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50只芦丁鸡一年利润,一只芦丁鸡成本利润

50只芦丁鸡一年利润,一只芦丁鸡成本利润 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

  据(jù)网(wǎng)信办消息,日前,网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查(chá)。

  审查发现,美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患(huàn),对我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险,影响(xiǎng)我国(guó)国家安全(quán)。为此,网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规,我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查,目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全,是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放,只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求,欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国50只芦丁鸡一年利润,一只芦丁鸡成本利润网信网发文(wén)称,为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán),防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险,维护国家安(ān)全(quán),依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》,网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手(shǒu):停止采购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也(yě)是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM (内存50只芦丁鸡一年利润,一只芦丁鸡成本利润)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司(sī)中,江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

  美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示,江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性,巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势,公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券(quàn)商此前就分析,如果美光在中国区销售(shòu)受到限制,或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士,国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露,薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75%。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单,设备国产化进程加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜(mó)沉(chén)积)等相关公司(sī)份额(é)提升,以及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗(xǐ))等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

 

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