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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存(cún)储xl是多大码的衣服 xl可以穿到多少斤芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过(guò)美(měi)光xl是多大码的衣服 xl可以穿到多少斤等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.2xl是多大码的衣服 xl可以穿到多少斤8％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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