大(dà)家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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