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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国(guó)市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶初一有几门课程 都学什么科目，初二有几门课程圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占初一有几门课程 都学什么科目，初二有几门课程比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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