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越妇言文言文阅读翻译,《越妇言》 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查(chá)

  据网信办消息,日前,网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患,对我国(guó)关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险,影(yǐng)响我国国家安全。为此,网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规,我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

  此(cǐ)次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查(chá),目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全,是维护国家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求,欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

  半(bàn)导体突发(fā)!中国出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称,为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全,防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险,维(wéi)护国(guó)家安全,依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》,网络(luò)安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》,对美光公司越妇言文言文阅读翻译,《越妇言》(Micron)在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查(chá)。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发(fā)!中国出(chū)手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头,也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年收入来(lái)自中国(guó)市(shì)场收入(rù)从此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市(shì)公(gōng)司中,江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng),至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约,确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性,巩固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势,公司(sī)也与国内越妇言文言文阅读翻译,《越妇言》国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就分(fēn)析,如(rú)果美光在中国区销售受到限制,或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士,国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

  分析(xī)称(chēng),长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài),2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60:1的(de)深孔,未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽,催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75%。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单(dān),设(shè)备国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积(jī))等相关公(gōng)司份额(é)提升,以及(jí)存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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