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　　美光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng一亿等于10的几次方万，一亿等于10的几次方元)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，一亿等于10的几次方万，一亿等于10的几次方元设(shè)备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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