大家(jiā)好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息(xī)基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月3紫菜是不是海鲜1日(rì)，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要紫菜是不是海鲜(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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