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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国夏洛的网作者是谁 夏洛的网主人公是谁 24px;'>夏洛的网作者是谁 夏洛的网主人公是谁的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、夏洛的网作者是谁 夏洛的网主人公是谁长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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