大家(jiā)好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(城南旧事主要内容概括50字，城南旧事主要内容概括100字cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙(城南旧事主要内容概括50字，城南旧事主要内容概括100字lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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