大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。兔子有几条腿，兔子有几条腿正确答案p>

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公(gōng)司(sī)也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备兔子有几条腿，兔子有几条腿正确答案厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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