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　　美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，压在玻璃窗边c，在窗户边crong>我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比分别(b压在玻璃窗边c，在窗户边cié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销(xiāo压在玻璃窗边c，在窗户边c)售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额(é)提(tí)升(shēng)，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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