大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全小黄人名字分别叫什么问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　小黄人名字分别叫什么分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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