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025是哪里的区号,025是哪里的区号查询 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来(lái)看一则突(tū)发消(xiāo)息。

  美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

  据网信办消(xiāo)息,日前,网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了网025是哪里的区号,025是哪里的区号查询络安全审查(chá)。

  审(shěn)查(chá)发现,美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患,对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险,影响我国国家安全(quán)。为此,网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

  此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查,目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全,是维(wéi)护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要求,欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  3月31日(rì),中国网(wǎng)信网发文称,为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全,防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国(guó)家安全,依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》,网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查(chá)。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头,也是全球存储芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市(shì)场咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng),至少已经不是主要大(dà)供应商。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公(gōng)司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势,公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商(shāng)此前就(jiù)分析,如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到(dào)限制,或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品(pǐn)

  分析(xī)称(chēng),长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟槽,催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù),薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(ch025是哪里的区号,025是哪里的区号查询ǎn)线资本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75%。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单,设备国产化进程加(jiā)速,看好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜(mó)沉积(jī))等相关公(gōng)司份额提升,以及(jí)存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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