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　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　1cc的水等于多少克，1cc水是多少克目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓1cc的水等于多少克，1cc水是多少克荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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