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崤什么时候读yao佳肴，崤什么时候读半导体突发！中国出手：停止采购！

　　大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　半导体突(tū)发(fā)！中(zhōng)国出手：停止采(cǎi)购！

崤什么时候读yao佳肴，崤什么时候读>　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　半(bàn)导体突发(fā)！中(zhōng)国(guó)出手：停(tíng)止(zhǐ)采购！

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(y崤什么时候读yao佳肴，崤什么时候读ào)经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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