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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过分分合合的爱情能长久吗，分分合合的爱情是真爱吗美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优(yōu分分合合的爱情能长久吗，分分合合的爱情是真爱吗)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)分分合合的爱情能长久吗，分分合合的爱情是真爱吗中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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