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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè香港区号是多少)国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)香港区号是多少不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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