大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美光(guāng)等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)aj和耐克的区别是什么，aj和乔丹的区别是什么存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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