大(dà)家好，来看(kàn)一(yī)则突发(fā)消息。

　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)合肥初中排名前十名有哪些学校，合肥初中排名前十名分数合肥初中排名前十名有哪些学校，合肥初中排名前十名分数线线国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。合肥初中排名前十名有哪些学校，合肥初中排名前十名分数线strong>存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。