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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品(强迫症会把人折磨死吗，强迫症的大脑到底出什么问题pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全(q强迫症会把人折磨死吗，强迫症的大脑到底出什么问题uán)，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限制名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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