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　　美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至如何加入如新直销模式 如新是合法直销吗2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)如何加入如新直销模式 如新是合法直销吗储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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