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全的偏旁还有什么字,全的偏旁还有什么字再组词 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一(yī)则突发消息。

  美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

  据网(wǎng)信办消(xiāo)息,日前(qián),网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

  审查发(fā)现,美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险,影(yǐng)响我国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此,网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

  此次(cì)对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网络(luò)安(ān)全审查,目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全,是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放,只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求,欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全,防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险,维护国家安全(quán),依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》,网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》,对(duì)美光(guāng)公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查(chá)。

  半导体突(tū)发(fā)!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76%,三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

  美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降,至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商,采购约(yuē)31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示(shì),江波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势,公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制(zhì),或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士,国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。<全的偏旁还有什么字,全的偏旁还有什么字再组词/strong>存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每全的偏旁还有什么字,全的偏旁还有什么字再组词层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤(zhòu),同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo),催生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制名单(dān),设备国产化进程加速(sù),看(kàn)全的偏旁还有什么字,全的偏旁还有什么字再组词好拓(tuò)荆科技(薄(báo)膜沉积(jī))等(děng)相关公司份额提升,以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增长。

 

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