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　　美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家结婚时还是处的多吗，结婚还是处的有多少安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查结婚时还是处的多吗，结婚还是处的有多少(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn结婚时还是处的多吗，结婚还是处的有多少)守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按(àn)照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司(sī)也(yě)与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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