大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全问(wè小小心意,不成敬意请笑纳，小小心意 不成敬意是什么意思n)题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审小小心意,不成敬意请笑纳，小小心意 不成敬意是什么意思查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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