大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购(经常对视会产生好感吗，异性经常对视会增加好感gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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