大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审迪丽热巴男朋友，迪丽热巴全名(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2迪丽热巴男朋友，迪丽热巴全名021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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