大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美聚丙烯和聚乙烯有什么区别，二聚环戊二烯光(guāng)公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn聚丙烯和聚乙烯有什么区别，二聚环戊二烯)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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