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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。过渡句在文章中起什么作用，过渡句在文中起什么作用,有什么好处ng>为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。