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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ维多利亚的秘密什么档次，维多利亚的秘密算什么档次)律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。维多利亚的秘密什么档次，维多利亚的秘密算什么档次ong>

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建维多利亚的秘密什么档次，维多利亚的秘密算什么档次立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。