大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)单反可以带上飞机吗未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类平(píng)台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。单反可以带上飞机吗g>存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。