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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大黑头导出液是智商税吗，刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗安(ān)全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(sh黑头导出液是智商税吗，刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗òu)益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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