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　　美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè五月去北京穿什么衣服，五月份去北京穿什么衣服)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报五月去北京穿什么衣服，五月份去北京穿什么衣服显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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